適用性：很小，每個單元 LED 小片是 3-5mm 的正方形，所以可以制備成各種形狀的器件，并且適合于易變的環(huán)境。
響應時間：其白熾燈的響應時間為毫秒級， LED 燈的響應時間為納秒級。
對環(huán)境污染：無有害金屬汞。

亮度
LED燈珠的亮度不同，價格不同。
燈珠：一般亮度為60-70 lm；球泡燈：一般亮度為80-90 lm。
1W紅光，亮度一般為30-40 lm；1W綠光，亮度一般為60-80 lm；1W黃光，亮度一般為30-50 lm；1W藍光，亮度一般為20-30 lm。
注：1W亮度為60-110lm；3W亮度高可達240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并聯(lián)封裝，主要看多少電流，電壓，幾串幾并。
LED透鏡：一次透鏡一般用PMMA、PC、光學玻璃、硅膠（軟硅膠，硬硅膠）等材料。角度越大出光效率越高，用小角度的LED透鏡，光線要射得遠的。

半導體發(fā)光二極管和半導體激光器類似，也是一個PN結(jié)，也是利用外電源向PN結(jié)注入電子來發(fā)光的。半導體發(fā)光二極管記作LED，是由P型半導體形成的P層和N型半導體形成的N層，以及中間的由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)成的有源層組成。有源層是發(fā)光區(qū)，其厚度為0.1～0.2μm左右。

半導體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)公差沒有激光器那么嚴格，而且無諧振腔。所以，所發(fā)出的光不是激光，而是熒光。LED是外加正向電壓工作的器件。在正向偏壓作用下，N區(qū)的電子將向正方向擴散，進入有源層，P區(qū)的空穴也將向負方向擴散，進入有源層。進入有源層的電子和空穴由于異質(zhì)結(jié)勢壘的作用，而被封閉在有源層內(nèi)，就形成了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。這些在有源層內(nèi)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的電子，經(jīng)躍遷與空穴復合時，將產(chǎn)生自發(fā)輻射光。

原子、分子和某些半導體材料，能分別吸收和放出一定波長的光或電磁波。根據(jù)固體能帶論，半導體中電子的能量狀態(tài)分為價帶和導帶，當電子從一個帶中能態(tài)E1躍遷(轉(zhuǎn)移)到另一帶中的能態(tài)E2時，就會發(fā)出或吸收一定頻率(υ)的光。υ與能量差(ΔE=E2-E1)成正比，即

①提高內(nèi)量子效率,要求盡量減少晶體缺陷和有害雜質(zhì)；②提高外量子效率，結(jié)構(gòu)要便于光收集、提取和發(fā)射；③可以用攜載信息的輸出電流直接對光輸出進行高速率的調(diào)制；④結(jié)構(gòu)要有利于散熱，減少因結(jié)溫上升引起光功率下降；⑤要有高的輻射度，因此應用直接帶隙半導體和能夠在高電流密度下驅(qū)動的結(jié)構(gòu)。