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功率管發(fā)熱 關(guān)于這個問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。 功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導通損耗。 要注意，大多數(shù)場合特別是LED市電驅(qū)動應用，開關(guān)損害要遠大于導通損耗。 開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。
開關(guān)次數(shù)的影響：多數(shù)電源設(shè)有電容器輸入型的整流回路，在通入電源時，會產(chǎn)生浪涌電流，導致開關(guān)接點疲勞，引發(fā)接觸電阻增大及吸附等問題。理論上認為，在電源期望壽命期間，開關(guān)的通斷次數(shù)約有10000次。
多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機多同時可支持16張不同分辨率的發(fā)射卡,單機高可以支持30720*1080 LED點陣。多臺機器級聯(lián)可以實現(xiàn)無限幅度的LED點陣實時動態(tài)顯示。 可以任意配置發(fā)射卡進行LED點陣堆砌，可以自由選擇灰度級數(shù)。可以任意設(shè)置單個LED發(fā)射卡的輸出內(nèi)容點陣。
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