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德國IXYS 場效應管 IXFH60N50P3 全新原裝大量現(xiàn)貨 IXYS二極管 IXYS快恢復二極管 IXYS場效應管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 現(xiàn)貨供應 質優(yōu)價廉 專業(yè)代理 原裝進口 更多..11月07日 -
原裝IXYS場效應管/MOS管 IXFK94N50P2 現(xiàn)貨直銷，特價優(yōu)惠，量多從優(yōu) IXYS二極管，IXYS快恢復二極管，IXYS場效應管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 ，IXYS MOS管 艾賽斯可控硅..11月07日
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15.50元供應場效應管IIXFH34N65X2 德國IXYS艾賽斯代理 IXYS二極管，IXYS快恢復二極管，IXYS場效應管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 ，IXYS MOS管 艾賽斯可控硅 IXYS IGBT 艾賽斯..11月07日
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德國IXYS 場效應/MOS管 IXTQ460P2 全新原裝現(xiàn)貨 IXYS場效應管 IXYS二極管 IXYS快恢復二極管 深圳市永創(chuàng)碩電子科技有限公司是一家專業(yè)電子元器件及磁性材料代理經銷企業(yè)，公司成立于200..11月07日
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1.60元廈門市旭晶電子有限公司坐落于美麗的濱海城市--廈門。公司致力于打造一流的服務體系，可靠的質量保證，為客戶提供高性價比的產品和服務。 ——主營產品系列MOS、 快恢復、肖特基、單06月13日
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1000.00元回收場效應管,MOS管，電源IC 20％ 服務大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴格保密為原則 回收庫存電子電工產品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設備電子料 ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..10月01日
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場效應管在不同技術文獻和應用場景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導體場效應晶體管）：其英文全稱縮寫，強調金屬-氧化物-半導體的結構特性??MOS管..10月01日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質量、性能測試、功..10月01日
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0.10元PMOS 場效應管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月01日
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場效應管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應場效應管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應可提供樣品測試和技術支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月01日
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31.00元場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內阻、高開關速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅動、開關電源及高速信號切換等應用的理想選..09月11日
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2.00元**低導通電阻**：MT3287/B采用的工藝設計，實現(xiàn)了極低的導通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關速度**：得益于其快速的開關響應能力，MT3287/B在高頻應用中..09月11日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應用設計的N溝道場效應晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管（N-channel MOSFET），其設計旨在提供低導通電阻、高開關速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT3287-N溝道場效應管，作為一種增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導通電阻以及快速的開關速度。該器件采用的半導體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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