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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開(kāi)關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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與傳統(tǒng)的高溫?zé)o鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃，將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有極高..09月11日
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燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國(guó)內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的不二選擇.芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是..09月11日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無(wú)空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵..09月11日
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燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開(kāi)關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中的過(guò)度負(fù)載循環(huán)將導(dǎo)..09月11日
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燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國(guó)內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的不二選擇.同時(shí)在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出雙面銀燒..09月11日
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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開(kāi)關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)，美國(guó)、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。相比焊接模塊，加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對(duì)模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生..09月11日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無(wú)空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。..09月11日
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傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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銀燒結(jié)是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無(wú)空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵..09月11日
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87000.00元①燒結(jié)連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能；②由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)（961℃），將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有極高的可靠性；相對(duì)于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可..09月11日
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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開(kāi)關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月11日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無(wú)空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。①燒結(jié)連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能；..09月11日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來(lái)越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn) 1.什..09月11日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月11日
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89000.00元目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中的過(guò)度負(fù)載循環(huán)將導(dǎo)..09月11日
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