大硅片方面，目前中環(huán)股份主導(dǎo)的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴(kuò)產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性上的優(yōu)勢(shì)并不明顯，市場(chǎng)占有率明顯低于182大硅片。不過(guò)，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭(zhēng)終有了結(jié)果，210硅片或有拓展機(jī)會(huì)。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時(shí)間稱(chēng)為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開(kāi)關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會(huì)使壽命值大大降低。

熱導(dǎo)率較大?；瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實(shí)現(xiàn)PN結(jié)表面鈍化和保護(hù)，還可以形成金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),制造MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結(jié)具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長(zhǎng)、可靠性好、熱傳導(dǎo)好，并能在200高溫下運(yùn)行等優(yōu)點(diǎn)。

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時(shí)要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會(huì)使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過(guò)3ppm時(shí)其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門(mén)子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術(shù)路線(xiàn)，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術(shù)突破以實(shí)現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術(shù)已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項(xiàng)指標(biāo)上，均大幅改良西門(mén)子法。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對(duì)硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問(wèn)世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導(dǎo)體材料的。60年代硅外延生長(zhǎng)單晶技術(shù)和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術(shù)趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達(dá)2500噸。硅還是有前途的太陽(yáng)電池材料之一。用多晶硅制造太陽(yáng)電池的技術(shù)已經(jīng)成熟；無(wú)定形非晶硅膜的研究進(jìn)展迅速；非晶硅太陽(yáng)電池開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。