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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統計，世界上硅單晶的產量中70％～80％是用直拉法生產的。目前晶體生長設備的現狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，設計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產生各種缺陷，影響質量，情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據生長設備，配置出合理的熱場,從而保生產出來的硅單晶的品質。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關鍵。數值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實驗。

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數值仿真是用來獲得廉價的，完整的和細節(jié)的結晶過程，以此方法用來預測晶體生長,改善晶體生長技術。數值模擬是當實驗的費用太昂貴或無法常規(guī)進行時一種非常有用或的方法。舉例來說，對于無經驗人員，可以形象化展示熔體流動的歷史點缺陷和熱應力細節(jié)。所以數值仿真是一種達到較高生產率和較好滿足市場對晶體直徑，質量要求的辦法。面向過程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數值工具,用戶通過有效的計算機模擬可以設計和優(yōu)化工作流程。通過對單晶爐熱場的仿真計算，優(yōu)化設計單晶爐的機械結構，在拉晶過程中以仿真結果設定合理的理論拉晶曲線，可以在實際生產中是完全可以生長出合格的單晶棒。