隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來(lái)越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。

以AS9385有壓燒結(jié)銀膏為例，在燒結(jié)過(guò)程中，銀顆粒通過(guò)接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過(guò)擴(kuò)散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長(zhǎng)大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)的孔隙網(wǎng)絡(luò)，隨著燒結(jié)過(guò)程的進(jìn)行，孔洞逐漸變小，燒結(jié)密度和強(qiáng)度顯著增加，在燒結(jié)后階段，多數(shù)孔洞被完全分割，小孔洞逐漸消失，大空洞逐漸變小，直到達(dá)到終的致密度。

燒結(jié)得到的連接層為多孔性結(jié)構(gòu)，孔洞尺寸在微米及亞微米級(jí)別，連接層具有良好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，熱匹配性能良好。