② 進行預(yù)加熱干燥，用于排除燒結(jié)銀中的有機氣體等揮發(fā)物，然后在高溫下進行無壓或壓力輔助燒結(jié)，主要燒結(jié)工藝參數(shù)有：升溫速率、燒結(jié)溫度、燒結(jié)壓強、燒結(jié)時間和氣體環(huán)境等;

③燒結(jié)完成后形成SiC-Cu基板納米燒結(jié)銀互連層?？梢钥吹剑迫市虏牡募{米銀燒結(jié)互連層是碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)單元，屬于薄層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結(jié)工藝提升其互連層的連接強度。

另外，善仁新材研究院發(fā)現(xiàn)：較大面積的互連會導(dǎo)致較差的互連質(zhì)量，其原因是增加的互連面積阻止了有機成分被燃盡，會導(dǎo)致更高的的孔隙率，針對這種現(xiàn)象，善仁新材提出了兩個解決方案：