隨著5G移動(dòng)通信、雷達(dá)探測(cè)、軌道交通、光伏發(fā)電、半導(dǎo)體照明、高壓輸變電等領(lǐng)域的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)成為支持新基建的核心材料。

在射頻通信方面，GaN技術(shù)正助力5G通信的發(fā)展。5G移動(dòng)通信從人與人通信拓展到萬(wàn)物互聯(lián)，預(yù)計(jì)2025年全球?qū)a(chǎn)生1000億個(gè)設(shè)備的連接。

半導(dǎo)體封裝材料在電力電子器件中起著信號(hào)傳遞、熱量擴(kuò)散、機(jī)械支撐等作用，對(duì)半導(dǎo)體器件的服役能力與可靠性壽命有決定性影響。隨著半導(dǎo)體器件功率密度與服役溫度的提升，導(dǎo)電膠等封裝材料已無(wú)法滿(mǎn)足可靠連接的需求。只有善仁新材的燒結(jié)銀材可以滿(mǎn)足膏功率器件的封裝要求。