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天津半導(dǎo)體破壞物理性分析-工藝缺陷檢驗(yàn)中心

更新時(shí)間:2025-10-03 [舉報(bào)]

廣電計(jì)量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù),其中針對(duì)半導(dǎo)體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi),針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件,提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析,空封元器件特殊使用要求。

根據(jù)DPA結(jié)果剔除不合格批次,保留合格批次。破壞性物理分析(DPA)是高可靠工程使用的元器件質(zhì)量重要方法之一,主要用于元器件批質(zhì)量的評(píng)價(jià),也適用于元器件生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量監(jiān)控。 DPA可發(fā)現(xiàn)在常規(guī)篩選檢驗(yàn)中不一定能暴露的問(wèn)題,這些問(wèn)題主要是與產(chǎn)品設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、裝配等工藝相關(guān)的缺陷。由于破壞性物理分析技術(shù)有這樣的技術(shù)特點(diǎn),因此,對(duì)J用電子元器件開(kāi)展DPA,可以把問(wèn)題暴露于事前,有效防止型號(hào)工程由于電子元器件的潛在質(zhì)量問(wèn)題而導(dǎo)致整體失效。


廣電計(jì)量DPA樣品測(cè)要求及過(guò)程
1、樣本大?。簩?duì)于一般元器件,樣本應(yīng)為生產(chǎn)批總數(shù)的2%,但不少于5只也不多于10只;對(duì)于價(jià)格昂貴或批量很少的元器件,樣本可適當(dāng)減少,但經(jīng)有關(guān)機(jī)構(gòu)(鑒定、采購(gòu)或使用機(jī)構(gòu))批準(zhǔn)。
2、抽樣方式:在生產(chǎn)批中隨機(jī)抽取。(若有關(guān)各方取得一致意見(jiàn)時(shí),同一生產(chǎn)批中電特性不合格但為喪失功能的元器件,可作為DPA樣品)
DPA樣品的背景材料:生產(chǎn)單位、生產(chǎn)批號(hào)(或生產(chǎn)日期)、用戶(hù)、產(chǎn)品型號(hào)、封裝形式…
3、DPA方案要求:樣品背景材料、基本結(jié)構(gòu)信息、DPA檢驗(yàn)項(xiàng)目、方法和程序、缺陷判據(jù)、數(shù)據(jù)記錄和環(huán)境要求。
4、檢驗(yàn)項(xiàng)目和方法:應(yīng)符合合同、相應(yīng)產(chǎn)品規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)的要求,一般按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行,可根據(jù)系統(tǒng)需要適當(dāng)剪裁。

廣電計(jì)量集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室,配備了完善的DPA分析測(cè)試設(shè)備(如3D解析顯微鏡、X射線(xiàn)透射儀、超聲掃描顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、TEM透射電子顯微鏡、水汽分析儀、各類(lèi)檢漏儀等),具備非破壞性和破壞性測(cè)試的DPA分析能力。

DPA分析是對(duì)潛在缺陷確認(rèn)和潛在危害性分析的過(guò)程,一般是在在元器件經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)、篩選和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)后對(duì)元器件內(nèi)部存在的缺陷進(jìn)行分析,這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致樣品的失效或不穩(wěn)定。與其他分析技術(shù)不同的是,DPA分析是對(duì)元器件進(jìn)行的事前預(yù)計(jì)(而失效分析FA是事后檢查)。在元器件生產(chǎn)過(guò)程中以及生產(chǎn)后到上機(jī)前,廣電計(jì)量DPA分析技術(shù)都可以被廣泛地使用,以檢驗(yàn)元器件是否存在潛在的材料、工藝等方面的缺陷。

廣電計(jì)量DPA測(cè)試以預(yù)防失效為目的,防止有明顯或潛在缺陷的元器件上機(jī)使用;確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷;評(píng)價(jià)和驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量;提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施。
DPA分析技術(shù)可以快速發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工藝等方面的缺陷,這些缺陷終導(dǎo)致元器件失效的時(shí)間是不確定的,多數(shù)為早期失效,但所引發(fā)的后果是嚴(yán)重的。

標(biāo)簽:半導(dǎo)體破壞物理性分析天津破壞物理性分析
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