目前盡可能從機械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。
由于材料的熱膨脹系數不同、高溫波動和運行過程中的過度負載循環(huán)將導致焊料層疲勞，影響寬禁帶半導體模塊的可靠性。
燒結層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導率提升5倍，國內外諸多廠商把銀燒結技術作為第三代半導體封裝的核心技術，銀燒結技術成為芯片與基板之間連接的選擇.
同時在此基礎上開發(fā)出雙面銀燒結技術，將銀帶燒結在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結在散熱器上，大大簡化了模塊封裝的結構。
芯片連接采用銀燒結合金而不是焊接，燒結連接熔點更高，這意味著在給定溫度擺幅下連接的老化率將低得多，功率模塊的熱循環(huán)能力可增加5倍。
連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，擴大了工藝的使用范圍。在銀燒結技術中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，
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