現(xiàn)有晶圓片生產(chǎn)過程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉(zhuǎn)移到下一道生產(chǎn)上,現(xiàn)有技術(shù)中依靠人力進(jìn)行傳送,傳送過程的耗費(fèi)人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動(dòng)晶圓傳片器以解決以上問題。

為了保護(hù)晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會(huì)在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”。“背面減薄”過程中，膠膜會(huì)貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會(huì)背面的這一膠膜會(huì)自動(dòng)脫落。切割時(shí)由于摩擦很大，所以要從各個(gè)方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時(shí)，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。

晶圓切割時(shí)，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。

刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer，含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測(cè)量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等?？勺詣?dòng)檢測(cè)切割刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測(cè)試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
通常來說，對(duì)于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜，對(duì)于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜，因?yàn)椋琔V膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實(shí)之后，直接上倒封裝標(biāo)簽生產(chǎn)線，那么好使用UV膜，因?yàn)榈狗庋b生產(chǎn)線的芯片一般比較小，而且設(shè)備的頂針在藍(lán)膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍(lán)膜，可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。
藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會(huì)發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝，而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí)，可以考慮使用藍(lán)膜。
晶圓倒片機(jī)是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設(shè)備，它的任務(wù)是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進(jìn)行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進(jìn)行下一道程序，這就要求晶圓倒片機(jī)擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。

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