大硅片方面，目前中環(huán)股份主導(dǎo)的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴(kuò)產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性上的優(yōu)勢(shì)并不明顯，市場(chǎng)占有率明顯低于182大硅片。不過(guò)，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭(zhēng)終有了結(jié)果，210硅片或有拓展機(jī)會(huì)。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時(shí)間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開(kāi)關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會(huì)使壽命值大大降低。

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