善仁新材的納米燒結(jié)銀形成的納米銀互連層具有優(yōu)良的電、熱性能，可承受710℃的高工作溫度，而且其厚度相比傳統(tǒng)的釬焊接頭要薄50～80%，是實現(xiàn)SiC功率器件封裝的理想互連材料。
善仁新材的納米燒結(jié)銀互連層的制作工藝
其工藝主要包括：
① 在覆銅（Cu）基板上涂覆或者絲網(wǎng)印刷納米燒結(jié)銀，將芯片放置在納米銀膏上；
② 進行預(yù)加熱干燥，用于排除燒結(jié)銀中的有機氣體等揮發(fā)物，然后在高溫下進行無壓或壓力輔助燒結(jié)，主要燒結(jié)工藝參數(shù)有：升溫速率、燒結(jié)溫度、燒結(jié)壓強、燒結(jié)時間和氣體環(huán)境等;
③燒結(jié)完成后形成SiC-Cu基板納米燒結(jié)銀互連層。可以看到，善仁新材的納米銀燒結(jié)互連層是碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)單元，屬于薄層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結(jié)工藝提升其互連層的連接強度。
善仁新材另外發(fā)現(xiàn)在燒結(jié)工藝中引入超聲振動能夠提高燒結(jié)銀尺寸和密度，并發(fā)現(xiàn)其在處理燒結(jié)不充分的邊緣地方，能減小過度區(qū)，提高納米燒結(jié)銀互連層的連接強度；通過引用脈沖電流影響燒結(jié)工藝，能夠在3分鐘的快速燒結(jié)中，得到剪切強度為30-35MPa的工藝方法。
善仁新材研究院通過各種測試得知：納米燒結(jié)銀的互連層的空隙大小和空隙率高低和燒結(jié)溫度，升溫速率，保溫時間等有密切的關(guān)系。
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