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光刻膠去膠液PL311是針對半導體晶圓芯片制造過程而設計，光刻膠層需要在制造過程結束時，從襯底表面去除。可以迅速去除光刻膠殘留、其它刻蝕殘留物、粉塵顆粒物、油污、手印、氧化硅拋光液殘留等臟污，不引入任何污染物，潔凈度高，對各種襯底材料、鍍膜層、金屬配線無腐蝕，無毒無刺激性氣味，環(huán)保安全。
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