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韓式金邊眼鏡柜 撫州臨川生態(tài)板眼鏡柜 開放式收銀中島臺(tái)樣品 雨季眼鏡柜臺(tái)防潮措施！1.綠植：室內(nèi)多放綠色植物，有助于甲醛等有害氣體的揮發(fā)，吊蘭、蘆薈、綠蘿等具有吸附凈化功能的09月07日
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11.00元一般玻璃鱗片防腐層主要應(yīng)用到排煙脫硫裝置、吸收塔煙道、事故漿液箱、石灰石漿箱、排水、廢液處理裝置等多個(gè)方面。通過玻璃鱗片防腐層就可以大大的降低腐蝕效果，能夠很好的延長使用壽命。是..10月04日
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11.00元玻璃鱗片膠泥屬于防腐涂料，這大家可能都知道，但是關(guān)于它的組成成分有些什么還有應(yīng)用大家可能都不是很了解。玻璃鱗片膠泥主要原料就是玻璃鱗片。將具有一定片徑和厚度的玻璃鱗片分別與各類耐..10月04日
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而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴(kuò)散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對(duì)于第三代半導(dǎo)體高功率器件..10月04日
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AS9330半燒結(jié)銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫?zé)Y(jié)并且粘接力穩(wěn)定。剪切強(qiáng)度高達(dá)45MPA。半燒結(jié)銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結(jié)的界面2 假設(shè)界面表面能太低，建..10月04日
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AS9330半燒結(jié)銀的 導(dǎo)熱系數(shù)范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。AS9330半燒結(jié)銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫?zé)Y(jié)并且..10月04日
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而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴(kuò)散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對(duì)于第三代半導(dǎo)體高功率器件..10月04日
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87000.00元燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢與特點(diǎn) 1.什么是燒結(jié)銀技術(shù) 20世紀(jì)80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，即通過銀燒結(jié)銀顆粒AS9385實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件與基板的互連方法。銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗(yàn)證..10月04日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的..10月04日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和..10月04日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢與特點(diǎn) 1.什..10月04日
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①燒結(jié)連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能；②由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)（961℃），將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有極高的可靠性；2.銀燒結(jié)技術(shù)原理 AS9385銀燒..10月04日
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傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..10月04日
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傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..10月04日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。以AS9385有壓燒結(jié)銀膏為例，在..10月04日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..10月04日
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87000.00元在這種燒結(jié)過程中，在適當(dāng)?shù)膲毫?、溫度和時(shí)間條件下，經(jīng)過持續(xù)加熱，有壓燒結(jié)銀AS9385由粉末形態(tài)變?yōu)楣腆w結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)焊接材料相比，這種技術(shù)產(chǎn)生的燒結(jié)鍵更可靠，能夠提高器件的性能和壽命。..10月04日
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